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      半導體等離子清洗機制造應用

      • 分類:公司動態
      • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
      • 來源:
      • 發布時間:2020-09-25
      • 訪問量:

      【概要描述】等離子體輔助清洗技術是先進制造業中的一種精密清洗技術,可廣泛應用于很多行業,下面為大家介紹一下,等離子體清洗技術在半導體制造業中的應用。 ? ? ? ? 化學氣相沉積(CVD)和刻蝕在半導體加工中得到了廣泛的應用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和鎢等金屬薄膜的沉積。另外,微三級管和電路中起連接作用的細導線也采用了CVD技術在絕緣層上。 ? ? ? ? CVD反應過后,部分殘留物會在CVD反應腔內壁沉積,這里的危險在于,這些殘留物將從內壁脫離出來,污染了隨后的循環過程。所以,在新的沉積工藝開始之前,需要用等離子清洗機清洗CVD腔,以保持合格產品輸出。常用的清洗氣體是PFCs和SF6等含F氣體,可作為等離子體發生氣體用來清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循環過程中,FFC在等離子體作用下分解出的F原子能刻蝕掉電極、腔室壁上的殘留物,以及腔內五金器件上的殘留物。 ? ? ? ? 在等離子清洗機清洗的過程中,有相當一部分腔室內的FFC并沒有離解為活性F原子。除非采用減少排放技術,不然這部分未反應的含F氣體將流入大氣層。由于這些氣體在大氣中存在時間較長,將大大加劇全球變暖,其熱量比二氧化碳高出4個量級,因此,環境組織從1994年起就開始開發技術來減少這些氣體的排放。氮氣對溫室效應的影響不大,可代替上述含F氣體。 ? ? ? ? 半導體工業中的另一個生產步驟是使用等離子清洗機來清洗硅膠片上元件表面的感光有機材料制造的光刻膠。在沉淀過程開始之前,殘余的光刻膠必須清除干凈,使用熱硫酸和過氧化氫溶液或其它有毒有機溶劑對膠體進行脫膠,這樣會導致環保問題,但采用等離子清洗機清洗時,可采用三氧化硫等氣體脫膠,從而減少了對化學溶劑和有機溶劑的依賴。對一般生產廠家而言,采用等離子去膠技術,可使化學溶液用量減少上千倍不止,不僅環保,而且為企業節省了大量資金。

      半導體等離子清洗機制造應用

      【概要描述】等離子體輔助清洗技術是先進制造業中的一種精密清洗技術,可廣泛應用于很多行業,下面為大家介紹一下,等離子體清洗技術在半導體制造業中的應用。

      ? ? ? ? 化學氣相沉積(CVD)和刻蝕在半導體加工中得到了廣泛的應用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和鎢等金屬薄膜的沉積。另外,微三級管和電路中起連接作用的細導線也采用了CVD技術在絕緣層上。

      ? ? ? ? CVD反應過后,部分殘留物會在CVD反應腔內壁沉積,這里的危險在于,這些殘留物將從內壁脫離出來,污染了隨后的循環過程。所以,在新的沉積工藝開始之前,需要用等離子清洗機清洗CVD腔,以保持合格產品輸出。常用的清洗氣體是PFCs和SF6等含F氣體,可作為等離子體發生氣體用來清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循環過程中,FFC在等離子體作用下分解出的F原子能刻蝕掉電極、腔室壁上的殘留物,以及腔內五金器件上的殘留物。

      ? ? ? ? 在等離子清洗機清洗的過程中,有相當一部分腔室內的FFC并沒有離解為活性F原子。除非采用減少排放技術,不然這部分未反應的含F氣體將流入大氣層。由于這些氣體在大氣中存在時間較長,將大大加劇全球變暖,其熱量比二氧化碳高出4個量級,因此,環境組織從1994年起就開始開發技術來減少這些氣體的排放。氮氣對溫室效應的影響不大,可代替上述含F氣體。

      ? ? ? ? 半導體工業中的另一個生產步驟是使用等離子清洗機來清洗硅膠片上元件表面的感光有機材料制造的光刻膠。在沉淀過程開始之前,殘余的光刻膠必須清除干凈,使用熱硫酸和過氧化氫溶液或其它有毒有機溶劑對膠體進行脫膠,這樣會導致環保問題,但采用等離子清洗機清洗時,可采用三氧化硫等氣體脫膠,從而減少了對化學溶劑和有機溶劑的依賴。對一般生產廠家而言,采用等離子去膠技術,可使化學溶液用量減少上千倍不止,不僅環保,而且為企業節省了大量資金。


      • 分類:公司動態
      • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
      • 來源:
      • 發布時間:2020-09-25 09:04
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      半導體等離子清洗機制造應用:

              等離子體輔助清洗技術是先進制造業中的一種精密清洗技術,可廣泛應用于很多行業,下面為大家介紹一下,等離子體清洗技術在半導體制造業中的應用。

              化學氣相沉積(CVD)和刻蝕在半導體加工中得到了廣泛的應用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和鎢等金屬薄膜的沉積。另外,微三級管和電路中起連接作用的細導線也采用了CVD技術在絕緣層上。

              CVD反應過后,部分殘留物會在CVD反應腔內壁沉積,這里的危險在于,這些殘留物將從內壁脫離出來,污染了隨后的循環過程。所以,在新的沉積工藝開始之前,需要用等離子清洗機清洗CVD腔,以保持合格產品輸出。常用的清洗氣體是PFCs和SF6等含F氣體,可作為等離子體發生氣體用來清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循環過程中,FFC在等離子體作用下分解出的F原子能刻蝕掉電極、腔室壁上的殘留物,以及腔內五金器件上的殘留物。

              在等離子清洗機清洗的過程中,有相當一部分腔室內的FFC并沒有離解為活性F原子。除非采用減少排放技術,不然這部分未反應的含F氣體將流入大氣層。由于這些氣體在大氣中存在時間較長,將大大加劇全球變暖,其熱量比二氧化碳高出4個量級,因此,環境組織從1994年起就開始開發技術來減少這些氣體的排放。氮氣對溫室效應的影響不大,可代替上述含F氣體。

              半導體工業中的另一個生產步驟是使用等離子清洗機來清洗硅膠片上元件表面的感光有機材料制造的光刻膠。在沉淀過程開始之前,殘余的光刻膠必須清除干凈,使用熱硫酸和過氧化氫溶液或其它有毒有機溶劑對膠體進行脫膠,這樣會導致環保問題,但采用等離子清洗機清洗時,可采用三氧化硫等氣體脫膠,從而減少了對化學溶劑和有機溶劑的依賴。對一般生產廠家而言,采用等離子去膠技術,可使化學溶液用量減少上千倍不止,不僅環保,而且為企業節省了大量資金。

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